Книга: Акчурин Р.Х. «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники»

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Серия: "Мир материалов и технологий"

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования дляреализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробнорассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Издательство: "Техносфера" (2018)

ISBN: 978-5-94836-521-3

Купить за 922 руб в My-shop

Другие книги автора:

КнигаОписаниеГодЦенаТип книги
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроникиВ книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко… — Техносфера, Мир материалов и технологий Подробнее...2018862бумажная книга

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»