Книга: Вонг Б., Миттал А., Цао Ю., Старр Г. «Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне»
|
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Этисведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанногосигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.. Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторномуровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил... Формат: Твердая глянцевая, 432 стр.
ISBN: 9785948363776 |
Другие книги схожей тематики:
| Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
|---|---|---|---|---|---|
| Вонг Б.П. | Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне | Данное систематическое пособие для разработчиков современных сверхбольших интегральных схем… — Техносфера, - Подробнее... | 2014 | 869 | бумажная книга |
| Б. П. Вонг, А. Миттал, Ю. Цао, Г. Старр | Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне | Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм… — Техносфера, (формат: 70x100/16, 432 стр.) Подробнее... | 2014 | 764 | бумажная книга |
