Книга: «Труды ИОФАН. Том 66. Структурные фазовые переходы в хемосорбированных слоях»
Серия: "Труды ИОФАН" В сборнике статей представлены результаты исследований поверхностных атомных структур, образованных при взаимодействии молекулярных галогенов с основными гранями благородных металлов Си, Ag и Аи и гранью (100) полупроводника GaAs, а также результаты изучения поверхности Si(100)-c(6x2)-Ag. Для изучения процессов формирования и трансформации поверхностных структур применены современные методы исследования, такие как низкотемпературная сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия/спектроскопия и расчеты, основанные на теории функционала плотности, что позволяет на атомном уровне проследить за развитием структурных фазовых переходов, начиная с самых малых степеней покрытия от 0. 01 монослоя. Предназначен для специалистов и аспирантов, работающих в области физики поверхности и физики низкоразмерных систем. Издательство: "Наука" (2010)
ISBN: 978-5-02-037473-7 Купить за 448 руб в Лабиринте |
Другие книги схожей тематики:
Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
---|---|---|---|---|---|
Ельцов К.Н. | Структурные фазовые переходы в хемосорбированных слоях. Труды ИОФАН. Том 66 | Рассмотрены физические механизмы структурных превращений в слоях адсорбированных галогенов на… — Наука, - Подробнее... | 2010 | 414 | бумажная книга |