Книга: Николай Юрьевич Свечников «О сколе гомоструктур n-,p-GaAs(110)»

О сколе гомоструктур n-,p-GaAs(110)

Производитель: "LAP Lambert Academic Publishing"

В результате измерений фотоэлектронных спектров уровня Ga3d после скола in situ по плоскости (110)легированных полупроводников n-,p-GaAs для 14-ти номинально идентичных p-n переходов и зеркально плоских под оптическим микроскопом, были получены положения уровня Ферми для n- и p- слоев. Исследовалось также двумерное фотоэмиссионное изображение p-n перехода с использованием пучка синхротронного излучения (диаметр 0. 7 мкм, энергия 95 эВ, инт. 10E10 фот./c). Полученная средняя величина изгиба зон относительно положения идеальных плоских зон, характерных для отсутствия поверхностных дефектов, составила 0. 12+/-0. 05 эВ для p- слоя, и 0. 16+/-0. 08 эВ для n- слоя, при разрешении спектрометра ISBN:9783659512742

Издательство: "LAP Lambert Academic Publishing" (2014)

ISBN: 9783659512742

См. также в других словарях:

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»