Книга: Костылев С., Шкут В. «Электронное приключение в аморфных полупроводниках»
|
В монографии описаны физические основы явления переключения в аморфных полупроводниках — одного из наиболее перспективных для фундаментальных и прикладных исследований эффектов. Приведены новые данные о зонной структуре аморфных полупроводников и физических принципах разработки электронных устройств, использующих явления 5-ОДС, переключения и процессы, протекающие в областях с высокой плотностью тока. Рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей. Издательство: "Наукова думка" (1978) Формат: 60x90/16, 204 стр.
Купить за 250 руб на Озоне |
Другие книги схожей тематики:
| Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
|---|
См. также в других словарях:
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТЫ — скачкообразный обратимый переход полупроводника (или полупроводниковой структуры) из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрич. поля, превышающего пороговое значение Е П =104 106 В/см. П. э. наблюдаются в полупроводниках, у к рых … Физическая энциклопедия
