Книга: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис «Ионное легирование полупроводников (кремний и германий)»

Ионное легирование полупроводников (кремний и германий)

Книга посвящена возникшему в последние годы методу введения в полупроводники примесных элементов в виде ускоренных ионов. Метод позволяет регулировать плотностьпримесных атомов и глубину их проникновения в основной материал, а поэтому чрезвычайно перспективен для изготовления микроэлектронных приборов. В книге рассмотрены все стороны вопроса о внедрении ускоренных ионов в одноатомные полупроводники. Книга рассчитана на специалистов в области полупроводниковой технологии, радиационной физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физики твердого тела, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Издательство: "Мир" (1973)

Формат: 60x90/16, 296 стр.

Купить за 370 руб на Озоне

См. также в других словарях:

  • Ионное внедрение —         ионное легирование, введение посторонних атомов внутрь твёрдого тела путём бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями Ионное внедрение 10 100… …   Большая советская энциклопедия

  • Ионная имплантация — Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация  способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»