Книга: Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Дэвис «Ионное легирование полупроводников (кремний и германий)»
Книга посвящена возникшему в последние годы методу введения в полупроводники примесных элементов в виде ускоренных ионов. Метод позволяет регулировать плотностьпримесных атомов и глубину их проникновения в основной материал, а поэтому чрезвычайно перспективен для изготовления микроэлектронных приборов. В книге рассмотрены все стороны вопроса о внедрении ускоренных ионов в одноатомные полупроводники. Книга рассчитана на специалистов в области полупроводниковой технологии, радиационной физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физики твердого тела, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей. Издательство: "Мир" (1973) Формат: 60x90/16, 296 стр.
Купить за 370 руб на Озоне |
Другие книги схожей тематики:
Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
---|
См. также в других словарях:
Ионная имплантация — Схема установки для ионной имплантации и селекции ионов по энергии. Ионная имплантация способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ег … Википедия
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… … Физическая энциклопедия
Список режиссёрских версий — Режиссёрская версия специальное издание кинокартины. В режиссёрских версиях присутствуют моменты и сцены, задуманные по сценарию изначально, однако вырезанные прокатчиками для удобных временных рамок показа картины. Также режиссёры при… … Википедия