Книга: «Арсенид галлия»
|
В последнее время все большее число различных полупроводниковых приборов, особенно сверхвысокочастотных, создается на основе относительно нового по сравнению сгерманием и кремнием полупроводникового материала - арсенида галлия. Однако до сих пор технология изготовления, методы конструирования и характеристики таких приборов описывались в основном лишь в периодических изданиях. Учитывая необходимость в широком обмене мнениями по поводу технологии самого GaAs, а также способовконструирования и изготовления и возможностей приборов из GaAs, Институт физики Великобритании и Лаборатория авиационной электроники ВВС США организовали специальный международный симпозиум по арсениду галлия и его применению, в котором приняли участие ведущие специалисты западных фирм. Прочитанные на симпозиуме доклады и материалы дискуссии посвящены следующим актуальным проблемам: получение чистого GaAs и эпитаксиальных пленок; методы конструирования, свойства и деградация светодиодов и... Издательство: "Советское радио" (1972) Формат: 60x90/16, 304 стр.
Купить за 320 руб на Озоне |
Другие книги схожей тематики:
| Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
|---|---|---|---|---|---|
| Мальцев П.П. | Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А 3 В 5 | В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения&#… — Техносфера, - Подробнее... | 2018 | 914 | бумажная книга |
| Мальцева П. (ред.) | Системы на кристалле с встроенными антеннами на наногетероструктурах А 3 В 5 | В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения… — (формат: Твердая глянцевая, 528 стр.) Подробнее... | 2018 | 901 | бумажная книга |
| Мальцев П.П. | Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А 3 В 5 | В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного… — Техносфера, Подробнее... | 2018 | 862 | бумажная книга |
См. также в других словарях:
АРСЕНИД ГАЛЛИЯ — синтетич. монокристалл, GaAs, прямозонный полупроводник. Точечная группа симметрии 43m, плотн. 5,31 г/см3, Тпл=1238°С, в вакууме диссоциирует при 850°С, мол. м. 144,63, тв. по шкале Мооса 4,5. Прозрачен в ИК области (l от 1 до 12 мкм). Оптически… … Физическая энциклопедия
Арсенид галлия — Для этой статьи не заполнен шаблон карточка {{Вещество}}. Вы можете помочь проекту, добавив его. Арсенид галлия (GaAs) химическое … Википедия
арсенид галлия — galio arsenidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium arsenide vok. Galliumarsenid, n rus. арсенид галлия, m pranc. arséniure de gallium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Арсенид галлия-индия — Арсенид галлия индия … Википедия
арсенид галлия и алюминия — galio aliuminio arsenidas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. gallium aluminum arsenide vok. Gallium Aluminium Arsenid, n rus. арсенид галлия и алюминия, m pranc. arséniure de gallium aluminium, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ГАЛЛИЯ АРСЕНИД — ГАЛЛИЯ АРСЕНИД, один из основных полупроводниковых материалов (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV. Благодаря удачному сочетанию свойств занимает второе место (после кремния (см. КРЕМНИЙ)) по своему значению в … Энциклопедический словарь
