Книга: Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. «Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды»

Детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространенных твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSn, CdHgTe,SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешеток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетовогодо инфракрасного. Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и" Приборостроение" . Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям" Физика полупроводников", "Физическая электроника", "Твердотельная электроника...", "Квантовая электроника", "Технология... приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука" . Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.

Содержание:

https://totbook.ru/upload/iblock/729/7291d8aba4eed07909935c7fad00a49c.pdf

Издательство: "Физматкнига" (2011)

Формат: Переплёт, 448 стр.

ISBN: 978-5-89155-203-6