Книга: «Рекомбинация носителей тока в полупроводниках»
Серия: "Проблемы физики" Москва, 1959 год. Издательство иностранной литературы. Издательский переплет. Сохранность хорошая. Проблема рекомбинации носителей тока вместе со связанными с ней вопросами занимает одно из центральных мест в современной физике полупроводников. Это объясняется как научным интересом данного круга вопросов, в котором пересекается несколько наиболее актуальных задач современной теории твердого тела, так и сугубой его технической важностью: как известно, время жизни неравновесных носителей тока решающим образом определяет свойства полупроводниковых диодов и триодов, фотосопротивлений и т. д. Материалы, содержащиеся в сборнике, могут представить интерес для лиц, занимающихся экспериментальным и теоретическим изучением электрических свойств полупроводников и их применениями. Издательство: "Издательство иностранной литературы" (1959) Формат: 84x108/32, 141 стр.
Купить за 100 руб на Озоне |
Другие книги схожей тематики:
Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
---|
См. также в других словарях:
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
Рекомбинация — I Рекомбинация (от Ре... и позднелат. combinatio соединение) (генетическая), перераспределение генетического материала родителей в потомстве, приводящее к наследственной комбинативной изменчивости (См. Изменчивость) живых организмов. В… … Большая советская энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… … Физическая энциклопедия