Книга: Белоус А. И., Солодуха В. А., Шведов С. В. «Космическая электроника»

Содержание:

Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур...... 707 9. 1. Радиационно-стойкие КМОП БИС на основе КНИ структур...... 708 9. 2. Воздействие ионизирующего облучения на кремний и двуокись кремния...... 718 9. 3. Физические явления в МОП/КНИ транзисторах в условиях воздействия ИИ...... 732 9. 4. Результаты экспериментальных исследований образцов элементной базы КМОП БИСна КНИ-структурах...... 744 Литература к главе 9...... 768 Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе...... 775 10. 1. Проблемы масштабирования субмикронных микросхем...... 775 10. 2. Тенденции и проблемы проектирования кремниевых интегральных микросхем с проектными нормами глубокого субмикрона...... 778 10. 3. Токи утечки и статическое потребление мощности в структуре кремниевого МОП-транзистора...... 790 10. 4. Динамическое потребление мощности в типовой структуре субмикронного МОП-транзистора...... 807 10. 5. Влияние температуры и разброса технологических параметров на характеристики кремниевых субмикронных ИМС...... 819 10. 6. Особенности проектирования топологии аналоговых ИМС с проектными нормами глубокого субмикрона...... 832 10. 7. Общие выводы и рекомендации...... 836 Литература к главе 10...... 839 Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине...... 841 11. 1. Электронные модули класса «система в корпусе» для военной и космической микроэлектроники...... 841 11. 2. Особенности проектирования «система в корпусе»...... 850 11. 3. Учет особенностей технологии глубокого субмикрона при проектировании СБИС для СВК...... 854 11. 4. Влияние СВК на эволюцию концепций построения спутниковых систем...... 859 11. 5. Особенности выбора и применения квалифицированных полупроводниковых кристаллов (KGD) для СВК...... 864 Литература к главе 11...... 869 Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения...... 871 12. 1. Особенности взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с преградой и их влияние на структуру и свойства...... 871 12. 2. Ускорители для разгона микрочастиц до заданных скоростей...... 874 12. 3. Анализ радиопоглощающих материалов для защиты от электромагнитного излучения...... 877 12. 4. Влияние границ раздела в многослойных защитных материалах на проникающую способность микрочастиц...... 880 12. 5. Многослойные материалы для защиты интегральных микросхем от воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц и электромагнитного излучения...... 881 12. 6. Поглощение и отражение электромагнитного излучения многослойными материалами...... 883 Литература к главе 12...... 886 Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами...... 897 13. 1. Выбор материалов для исследований...... 897 13. 2. Методика и оборудование для ускорения микрочастиц...... 900 13. 3. Методика измерений электромагнитного излучения, возникающего при взаимодействии микрочастиц с преградой...... 903 13. 4. Методика измерения и принцип расчета э. д. с. магнитного поля...... 904 13. 5. Методика регистрации ионизирующего излучения...... 909 13. 6. Методика исследования структуры и свойств материалов после воздействия на них высокоскоростного потока микрочастиц...... 909 Литература к главе 13...... 913 Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц...... 916 14. 1. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц на механические и электрофизические свойства многослойных материалов...... 916 14. 2. Анализ процессов магнито-динамического взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с металлической преградой...... 923 14. 3. Моделирование процессов соударения высокоскоростных потоков пылевых микрочастиц с космическими аппаратами...... 930 14. 4. Влияние эффекта сверхглубокого проникновения на надежность электронных устройств космических аппаратов...... 940 Литература к главе 14...... 950 Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц...... 952 15. 1. Исследование воздействия высокоскоростного потока микрочастиц на структуру однослойных материалов...... 952 15. 2. Изменение вольт-амперных характеристик «незащищенных» интегральных микросхем серийного производства при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц...... 960 15. 3. Влияние высокоскоростных потоков микрочастиц на изменение вольт-амперных характеристик интегральных микросхем в корпусе из многослойного материала...... 962 Литература к главе 15...... 965 Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем...... 966 16. 1. Требования, предъявляемые к многослойному материалу корпуса микросхемы...... 966 16. 2. Получение многослойных материалов для корпусов интегральных микросхем космического назначения...... 968 16. 3. Формирование макро- и микроструктуры многослойных материалов...... 970 16. 4. Последовательность реализации технологического процесса получения многослойных материалов...... 973 16. 5. Свойства многослойных материалов...... 979 Литература к главе 16...... 987 Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства...... 992 17. 1. Постановка задачи для случая параметрического контроля интегральных микросхем при номинальных режимах функционирования...... 992 17. 2. Методика определения коэффициентов чувствительности выходных параметров биполярных интегральных микросхем...... 994 17. 3. Выявление микросхем со скрытыми дефектами на основе анализа границ области функционирования...... 998 17. 4. Оценка численных значений показателей безотказности по результатам экспериментальных исследований интегральных микросхем...... 1004 17. 5. Исследование механизмов влияния скрытых дефектов на численные значения основных статических параметров биполярных ИМС...... 1007 17. 6. Анализ модели математической обработки результатов форсированных испытаний КМОП-микросхем...... 1009 17. 7. Основные методы выявления и отбраковки потенциально ненадежных схем в условиях серийного производства...... 1013 Литература к главе 17...... 1025 Глава 18. Дизайн-киты (PDK) – структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами...... 1027 18. 1. Маршрут процесса разработки PDK, структура стандартного PDK...... 1027 18. 2. Термины и определения, используемые при описании компонентов PDK...... 1029 18. 3. Стандартизация PDK...... 1032 18. 4. Маршрут проектирования смешанных аналого-цифровых микросхем...... 1035 18. 5. Обобщенная информационная модель проектирования смешанных аналого-цифровых ИМС...... 1038 18. 6. Определение состава базовой библиотеки проектирования и перечня стандартных элементов...... 1040 18. 7. Особенности разработки цифровых библиотек для проектирования заказных ИМС с субмикронными проектными нормами...... 1042 18. 8. Конструктивно-схемотехнические особенности проектирования базовых элементов библиотеки субмикронных микросхем...... 1050 18. 9. Типовые информационные файлы PDK библиотеки проектирования...... 1058 18. 10. Стандартные модели источников тока (CCS) PDK...... 1060 18. 11. Способы и примеры адаптации стандартных инструментов проектирования ИМС к разработкам микросхем с проектными нормами 90, 65, 45 нм...... 1062 18. 12. Состав учебных дизайн-китов, предоставляемых Центром микроэлектроники IMEC...... 1071 Литература к главе 18...... 1074 Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений...... 1076 19. 1. Основы СВЧ-электроники...... 1076 19. 2. Строение и свойства арсенида галлия...... 1082 19. 3. Сравнительные характеристики свойств GaAs и Si...... 1083 19. 4. Микроэлектронные приборы на основе GaAs...... 1085 19. 5. Биполярные транзисторы с гетеропереходами...... 1092 19. 6. Оптоэлектронные приборы на GaAs...... 1093 19. 7. Новые приборы на GaAs...... 1094 19. 8. Состояние и перспективы развития монолитных интегральных схем СВЧ...... 1095 19. 9. Основные сферы и особенности применения GaAs СВЧ МИС...... 1109 19. 10. Основные технические параметры зарубежных GaN-микросхем приемо-передающих модулей АФАР...... 1117 19. 11. Краткий сравнительный обзор состояния мирового рынка СВЧ МИС на основе SiGe, GaN, AlGaN/GaN...... 1123 19. 12. Использование технологии CaAs-монолитных схем СВЧ в зарубежной космической и военной технике...... 1131 Глава 20. Вместо заключения...... 1141 20. 1. К мифу о недееспособности отечественных разработчиков...... 1141 20. 2. Особенности китайского пути развития микроэлектроники...... 1149 20. 3. Особенности выбора изготовителей иностранной радиационно-стойкой ЭКБ...... 1159 20. 4. Вариант создания специализированного микроэлектронного кластера для космических и оборонных приложений...... 1162 20. 5. Кластерные микроэлектронные комплексы с использованием систем бесшаблонной литографии...... 1167 Литература к главе 20...... 1182

Издательство: "Техносфера" (2015)

ISBN: 9785948364025