Книга: Б. И. Болтакс «Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках»
|
Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. Рассматривается влияние структурных дефектов, внутренних электрических полей и облучения на диффузию, а также диффузия примесей по свободной поверхности полупроводников. Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов. Издательство: "Наука. Ленинградское отделение" (1972) Формат: 60x90/16, 384 стр.
Купить за 370 руб на Озоне |
Другие книги схожей тематики:
| Автор | Книга | Описание | Год | Цена | Тип книги |
|---|---|---|---|---|---|
| Мерер Хельмут | Диффузия в твердых телах. Монография | Книга известного немецкого специалиста рассматривает фундаментальные проблемы диффузии в твердых телах … — ИД Интеллект, Подробнее... | 2011 | 2148 | бумажная книга |
| Х. Мерер | Диффузия в твердых телах | Книга известного немецкого специалиста рассматривает фундаментальные проблемы диффузии в твердых телах … — Интеллект, (формат: 70x100/16, 536 стр.) Подробнее... | 2011 | 1521 | бумажная книга |
| Мерер Хельмут | Диффузия в твердых телах. Учебно-справочное руководство | Книга известного немецкого специалиста рассматривает фундаментальные проблемы диффузии в твердых телах … — Интеллект, (формат: 70x100/16, 800 стр.) Подробнее... | 2011 | 2272 | бумажная книга |
| Х. Мерер | Диффузия в твердых телах | Книга известного немецкого специалиста рассматривает фундаментальные проблемы диффузии в твердых телах … — Интеллект, (формат: 70x100/16, 536 стр.) Подробнее... | 2011 | 2272 | бумажная книга |
См. также в других словарях:
ФРЕНКЕЛЯ ПАРА — (Френкеля дефект) дефект кристал лич. структуры, состоящий из собственно межузелъного атома и вакансии. Ф. п. возникают в кристалле при нагреве или облучении потоком ядерных частиц (см. Радиационные дефекты). При нагреве концентрация Ф. п.… … Физическая энциклопедия
ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
