Книга: Таперо К. И., Улимов В. Н., Членов А. М. «Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения»

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Содержание:

Введение...... 3 Глава 1. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками...... 7 1. 1. Краткое описание радиационных характеристик в окружающем пространстве...... 8 1. 2. Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом...... 17 1. 3. Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники...... 27 Глава 2. Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиационном облучении...... 67 2. 1. Диодные структуры...... 67 2. 2. Транзисторные структуры...... 72 2. 3. Устойчивость радиационных изменений электрических параметров полупроводниковых приборов...... 77 Глава 3. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO&# 8322;...... 81 3. 1. Особенности строения структуры Si/SiO&# 8322;...... 82 3. 2. Методы исследований заряда в оксиде и плотности поверхностных состояний...... 96 3. 3. Накопление и релаксация зарядов в структуре Si/SiO&# 8322; при радиационном облучении и отжиге...... 106 Глава 4. Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем, изготовленных на основе МОП-структур...... 149 4. 1. Изменение характеристикМОП-транзисторов и логических КМОП-элементов при радиационном облучении...... 149 4. 2. Влияние конструктивно-технологических характеристик на радиационную стойкость МОП-структур...... 156 4. 3. Радиационные эффекты в МОП-структурах с ультратонкими оксидами...... 159 4. 4. Некоторые особенности дозовых радиационных эффектов в МДП-структурах с альтернативными диэлектриками...... 163 4. 5. Влияние полевых оксидов на радиационную стойкость ИС...... 168 4. 6. Особенности проявления дозовых радиационных эффектов в микросхемах, изготовленных по КНИ-технологии...... 173 Глава 5. Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП- и КМОП-структур...... 184 5. 1. Корреляция между отдельными транзисторами и микросхемами...... 184 5. 2. Наихудший электрический режим...... 187 5. 3. Влияние на радиационную стойкость высокотемпературной нагрузки перед облучением...... 195 5. 4. Выбор источников ионизирующих излучений при проведении радиационных испытаний МОП и КМОП ИС...... 199 5. 5. Процедуры радиационных испытаний, учитывающие влияние факторов низкой интенсивности облучения...... 204 Глава 6. Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения (эффект ELDRS)...... 210 6. 1. Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных транзисторов...... 211 6. 2. Влияние интенсивности излучения на радиационный отклик биполярных интегральных схем...... 219 6. 3. Физические модели эффектов низкоинтенсивного облучения биполярных приборов и микросхем...... 225 6. 4. Проблема экспериментального моделирования воздействия излучений низкой интенсивности на биполярные изделия...... 227 6. 5. Выводы...... 231 Глава 7. Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства...... 233 7. 1. Основные виды и классификация одиночных событий...... 234 7. 2. Физические процессы, приводящие к возникновению одиночных событий...... 252 7. 3. Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов...... 279 Список литературы...... 289 Список сокращений...... 298

Издательство: "БИНОМ. Лаборатория знаний" (2017)

ISBN: 9785001014454