Книга: Игумнов В. Н. «Физические основы микроэлектроники»

Содержит лабораторные и практические работы по базовому курсу «Физические основы микроэлектроники». Представлены краткие теоретические сведения, связанные с исследованием основных параметров полупроводников, контактов и МДП-структур. Приведены примеры решения задач по различным разделам дисциплины, а также задачи для самостоятельного решения. Включен раздел, посвященный методам планирования эксперимента, обработки и оформления результатов работ.
Для студентов специальностей 210201. 65, 210202. 65, а также родственных специальностей.

Содержание:

Предисловие...... 3 Указания по технике безопасности...... 6 Введение...... 8 1. Обработка результатов измерений...... 11 1. 1. Основные понятия и определения метрологии...... 11 1. 2. Погрешности прямых измерений...... 15 1. 2. 1. Поправки...... 15 1. 2. 2. Случайные погрешности...... 16 1. 2. 3. Погрешность прибора...... 21 1. 2. 4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения...... 22 1. 3. Погрешность косвенных измерений...... 27 1. 3. 1. Вычисление абсолютной и относительной погрешностей...... 28 1. 3. 2. Схемы и формулы расчета погрешностей...... 31 1. 3. 3. Планирование эксперимента и оценка погрешности...... 34 1. 4. Приближенные вычисления...... 35 1. 5. Единицы измерения физических величин...... 38 1. 6. Оформление результатов измерений...... 41 Контрольные вопросы...... 45 2. Лабораторные работы...... 47 2. 1. Исследование характеристических параметров полупроводников...... 48 Основные сведения из теории...... 48 Измерительная установка и методика измерений...... 57 Порядок выполнения работы...... 61 2. 2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла...... 63 Основные сведения из теории...... 63 Измерительная установка и методика измерений...... 69 Порядок выполнения работы...... 71 2. 3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора...... 74 Основные сведения из теории...... 74 Порядок выполнения работы и описание установки...... 84 2. 4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоЭДС...... 88 Основные сведения из теории...... 88 Описание установки...... 98 Задание и отчетность...... 100 2. 5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом...... 102 Основные сведения из теории...... 102 Описание установки и порядок выполнения работы...... 110 Порядок выполнения работы...... 111 2. 6. Контакт металл-полупроводник...... 112 Основные сведения из теории...... 112 Теория метода и описание установки...... 126 Порядок выполнения работы...... 131 2. 7. Изучение электрофизических процессов в p-n – переходе...... 133 Основные сведения из теории...... 133 Описание лабораторной установки...... 142 Порядок выполнения работы...... 143 2. 8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов...... 146 Основные сведения из теории...... 146 Описание установки и анодирование...... 154 Изменение динамики роста и свойств оксидной пленки...... 157 Задание и отчетность...... 158 2. 9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе...... 160 Основные сведения из теории...... 160 Теория метода и описание установки...... 173 Порядок выполнения работы...... 180 2. 10. Полупроводники в сильных электрических полях...... 181 Основные сведения из теории...... 181 Порядок выполнения работы...... 193 2. 11. Свойства тонких проводящих пленок...... 195 Основные сведения из теории...... 195 Порядок выполнения работы...... 201 3. Решение задач...... 203 3. 1. Структура твердых тел...... 204 Основные справочные формулы...... 204 Примеры решения задач...... 205 Задачи...... 208 3. 2. Энергетические состояния микрочастиц...... 211 Основные справочные формулы...... 211 Примеры решения задач...... 215 Задачи...... 220 3. 3. Электрические свойства твердых тел...... 226 Основные справочные формулы...... 226 Примеры решения задач...... 230 Задачи...... 235 3. 4. Свойства p-n – перехода...... 241 Основные справочные формулы...... 241 Примеры решения задач...... 243 Задачи...... 247 Заключение...... 253 Библиографический список...... 255 Приложения...... 256 П. 1. Фундаментальные физические постоянные...... 256 П. 2. Свойства полупроводников...... 257 П. 3. Некоторые единицы системы СИ...... 258 П. 4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению...... 261 П. 5. Плотность некоторых твердых тел...... 262

Издательство: "Директ-Медиа" (2014)

ISBN: 9785447533014